Цель этого центра — объединить технологию прямой атомно-слоевой обработки (DALP®) компании ATLANT 3D с инфраструктурой исследований материалов A*STAR IMRE и возможностями NAMIC в области производственных разработок. Они будут изучать приложения в области поиска материалов с использованием искусственного интеллекта в трех конкретных областях: передовая упаковка полупроводников, кремниевая фотоника и полупроводниковое производство в целом.

Он предназначен для поддержки высокопроизводительного синтеза материалов и автономного поиска новых материалов. Партнеры заявляют, что это также позволит реализовывать совместные проекты с отраслевыми партнерами и внесет вклад в развитие отечественного потенциала Сингапура в области передового производства.

«Благодаря этому сотрудничеству с ATLANT 3D мы внедряем передовые возможности обработки атомных слоев в наш рабочий процесс разработки материалов, что позволяет нам ускорить открытие и оптимизацию функциональных тонкопленочных материалов», — сказал профессор Ло Сянь Цзюнь, исполнительный директор A*STAR IMRE. «Сочетание опыта ATLANT 3D в передовых технологиях осаждения с глубокими знаниями A*STAR IMRE в области материаловедения и инфраструктурой мирового класса для характеризации материалов укрепляет нашу способность преобразовывать результаты исследований в практические результаты для передовой обрабатывающей промышленности Сингапура».

Доктор Хо Чау Синг, генеральный директор NAMIC и исполнительный директор Научно-технического исследовательского совета A*STAR, сформулировал цель центра в более широком смысле. «A-HUB призван стать общей платформой, сближающей партнеров из числа исследователей, представителей промышленности и экосистемы для ускорения разработки сверхматериалов от лаборатории до промышленного производства, укрепляя позиции Сингапура как глобального центра в области материалов следующего поколения и передового производства», — сказал он.

В меморандуме о взаимопонимании не указаны сроки ввода центра в эксплуатацию и не раскрыты финансовые обязательства ни одной из трех сторон.

Источник